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DENS Lightning TEM 原位熱電方案
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01 產(chǎn)品概況
Lightning TEM 原位熱電方案是為了幫助研究人員在精確控制加電和加熱環(huán)境的同時(shí)觀察樣品變化的實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)過程，擴(kuò)展了在TEM中的應(yīng)用范圍。搭配的 Lightning Nano-chip 芯片能夠提供最高精度控制樣品偏壓和加熱環(huán)境的能力，能在 900℃ 高溫下同時(shí)實(shí)現(xiàn)高于300kV/cm 的電場(chǎng)，芯片擁有多種配置，能夠滿足不同的實(shí)驗(yàn)要求，并都能保證 TEM 的原子級(jí)分辨率成像能力，同時(shí)創(chuàng)建了最為真實(shí)的應(yīng)用環(huán)境。在進(jìn)行熱學(xué)研究的同時(shí)，在 pA 電流靈敏度下完成 I-V 測(cè)試，為原位實(shí)驗(yàn)研究提供了全新的觀察視角。
02 產(chǎn)品特點(diǎn)
樣品制備簡(jiǎn)單便捷
1. 樣品制備成功率高 使用我們專有的 FIB 樣品臺(tái)、Nano-Chip 芯片和詳細(xì)的 制樣流程簡(jiǎn)化了整個(gè)制樣過程。 2. 優(yōu)質(zhì)的 FIB 薄片 直接在芯片上進(jìn)行最終減薄，而不影響加熱和加電性能。
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可靠的環(huán)境刺激控制 1. 精準(zhǔn)控制加熱和加電 四探針法為加熱和加電設(shè)計(jì)提供了最準(zhǔn)確的溫度、電壓和 電流控制。 2. 原位環(huán)境刺激范圍廣 基于 MEMS 的 Nano-Chip 芯片旨在單獨(dú)或同時(shí)承受最高 溫度和電場(chǎng)。 3. 可靠的溫度 可通過使用 EELS 和 SAED 技術(shù)在 TEM 中直接驗(yàn)證溫 度。
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高質(zhì)量的數(shù)據(jù)結(jié)果 1. 全新的觀察視角 進(jìn)行熱學(xué)研究的同時(shí)，在具有真正 pA 電流靈敏度的條件 下測(cè)量 I-V。 2. 超高穩(wěn)定性 即使溫度達(dá)到 1000 °C（ ΔT = 1000 °C），漂移率也小 于 200 nm，樣品穩(wěn)定時(shí)間短，即使在高電壓下也能達(dá)到 原子級(jí)分辨率。 3. 不受影響的 STEM/TEM 性能 較小的 Z 軸位移（膨脹）保證了分辨率不受影響，且無 需移動(dòng)樣品臺(tái)。
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03. 案例分享
下圖是在 800℃ 的條件下，我們對(duì)樣品進(jìn)行加電實(shí)驗(yàn)，觀察樣品核殼納米材料在 HRTEM 下顯示的結(jié)構(gòu)變化，并且此時(shí)電壓可以達(dá)到高值。樣品桿具有高穩(wěn)定性，即便在最高溫度和電場(chǎng)環(huán)境下，也能實(shí)現(xiàn)常規(guī)的原子分辨率成像。
04 應(yīng)用領(lǐng)域
05 原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)簡(jiǎn)介
透射電子顯微鏡（TEM）一直是觀察微觀世界的有力工具。尤其是球差矯正器的出現(xiàn)，科學(xué)家已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)在原子尺度上對(duì)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征成像。此外，TEM 的進(jìn)步也帶動(dòng)了 CCD 相機(jī)的發(fā)展，這樣，TEM 就同時(shí)具有優(yōu)異的空間分辨率和時(shí)間分辨率，那么時(shí)間和空間的結(jié)合，是否可以讓 TEM 動(dòng)起來？
眾所皆知，TEM 需要在高真空條件下表征靜止?fàn)顟B(tài)下的樣品，但這不足以反映材料在真實(shí)環(huán)境下的微觀結(jié)構(gòu)。為此，荷蘭 DENSsolutions 公司多位科學(xué)家利用最新的 MEMS 技術(shù)，設(shè)計(jì)出的納米芯片，據(jù)此可以向 TEM 中引入動(dòng)態(tài)外界刺激條件，模擬樣品在真實(shí)環(huán)境下的狀態(tài)，打破壓力的限制，記錄樣品的動(dòng)態(tài)變化過程，讓 TEM真正的實(shí)現(xiàn)動(dòng)起來。
荷蘭 DENSsolutions 公司為透射電鏡提供技術(shù)優(yōu)良的、納米尺度的原位顯微工具，其產(chǎn)品可以為原位 TEM 樣品施加外界刺激，捕捉 TEM 樣品在真實(shí)環(huán)境下的動(dòng)態(tài)現(xiàn)象。目前，已經(jīng)可以在 TEM 中引入氣、液、熱、電等多種狀態(tài)。
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